ADG636

Двухканальный, 5 В, +5 В, +3 В, CMOS коммутатор SPDT с инжекцией заряда 1 пКл и токами утечки 100 пА

Отличительные особенности:

• Инжекция заряда 1 пКл (+/-1.5 пКл в диапазоне сигналов)
• питание от +/- 2.7 В до +/-5.5 В
• Однополярное питание от +2.7 В до +5.5 В
• Автомобильный температурный диапазон от -40С до +125С
• Токи утечки 100 пА (макс) при 25С (менее 0.25 нА, макс при +85С)
• Сопротивление открытого канала 85 Ом (тип)
• Коммутация сигналов с размахом от шины до шины питания
• Малое время коммутации
• Типичное энергопотребление менее 0.1 мкВт
• TTL/CMOS- совместимые входы
• Корпус типа 16-Lead TSSOP

Области применения:

• Автоматическое тестовое оборудование
• Системы сбора данных
• Измерительные приборы с автономным питанием
• Коммуникационные системы
• Системы выборки и фиксации
• Маршрутизация аудио- видео- сигналов
• Замена реле
• Авионика

Функциональная блок- схема:

Расположение выводов и таблица истинности:

Описание:

ИС ADG636 является монолитным коммутатором, состоящим из двух независимо - управляемых CMOS ключей SPDT (один вход/два выхода). В открытом состоянии каждый из каналов имеет одинаковую проводимость в обоих направлениях.

ИС ADG636 работает от одно-, или би - полярного источников питания с напряжениями от +2.7 В до +5.5 В, или от 2.7 до 5.5 В.

Данные ключи обладают ультра- низким уровнем инжекции заряда 1.5 пКл во всем диапазоне входных сигналов и типичными токами утечки 10 пА при +25С. ИС имеет сопротивление в открытом канале 85 Ом (тип), при рассогласовании сопротивлений между каналами в пределах 2 Ом. ИС ADG636, также обладает низким уровнем рассеивания энергии при высоких скоростях коммутации каналов.

ИС ADG636 использует коммутационный алгоритм «break-before-make» (разрыв - перед следующей коммутацией) и выпускается в корпусе типа 14-lead TSSOP.

Описание микросхемы

148 Kb Engl Предварительное описание микросхемы