IR2213
Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней
Отличительные особенности:
- Управляющие каналы разработаны для нагруженного функционирования
- Полностью работоспособны до +1200В
- Нечувствителен к отрицательным напряжениям при переходных процессах
- Стойкость к скорости нарастания напряжения (dV/dt)
- Диапазон напряжения питания драйверов 12…20В
- Блокировка при снижении напряжения
- Отдельное питание логики от 5В до 20В
- Смещение логики и общего питания ±5В
- Входы с КМОП триггерами Шмита с привязочными резисторами к общему питания
- Тактирование логики выключения
- Согласованная задержка распространения для обоих каналов
- Выходы драйвера в фазе со входами
- Напряжение смещения VOFFSET не более 1200В
- Имп.вых. ток к.з Iо± 1.7 А/ 2 А
- Выходное напряжение драйверов VOUT 12 – 20В
- Время вкл./выкл. 280/225 нс
- Согласованная задержка 30 нс
Типовая схема включения:
Блок-схема:
Расположение выводов:
Описание выводов:
| Vdd |
Питание логики |
| HIN |
Логический вход управления выходом драйвера верхнего уровня (HO), в фазе |
| LIN |
Логический вход управления выходом драйвера нижнего уровня (LO), в фазе |
| SD |
Вход выключения |
| VSS |
Логический общий |
| VB |
Напряжение питания ключей верхнего уровня |
| HO |
Выход драйвера верхнего уровня |
| VS |
Возврат питания верхнего уровня |
| VCC |
Питание драйверов нижнего уровня |
| LO |
Выход драйвера нижнего уровня |
| COM |
Возврат питания нижнего уровня |
Описание:
IR2213 - драйверы высоковольтных, высокоскоростных МОП-транзисторов или IGBT-транзисторов с независимыми выходными каналами нижнего и верхнего уровней. Собственная HVIC-технология и стойкая к защелкиванию КМОП-технология позволили создать монолитную конструкцию. Логический вход совместим с стандартными КМОП или LSTTL выходом. Выходы драйверов отличаются высоким импульсным током буферного каскада, что выполнено для минимизации встречной проводимости драйвера. Задержка при распространении сигналов согласована для применения в высокочастотных приложениях. Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 500В или до 1200В.
Документация:
| |
 |
137 Kb Engl Описание микросхемы |
| 
