В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > ИС управления > 3-фазные драйверы
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    IR2130, IR2132

    Драйвер 3-фазного моста

    Отличительные особенности:

    • Выходные каналы разработаны для нагруженного функционирования
          Работает в приложениях с выходным напряжением до +600В
          Допускает отрицательное переходное напряжение
          Стойкость к скорости изменения напряжения (dV/dt)
    • Управляющее напряжение на затворах от 10 до 20 В
    • Блокировка всех каналов при снижении напряжения
    • Выключение всех 6 драйверов при токовой перегрузке
    • Раздельные полумостовые драйверы
    • Согласованное время распространения сигналов по всем каналам
    • Выходы работают в противофазе с входами
    • Защита от сквозных токов
    • Краткая характеристика:
    • Макс. напряжение смещения VOFFSET 600В
    • Выходной ток к.з IO± 200 мА / 420 мА
    • Напряжение питания VOUT 10 – 20В
    • Время вкл./откл. 675/425 нс
    • Длительность паузы
          2.5 мкс (IR2130)
          0.8 мкс (IR2132)

    Типовая схема включения:

    Блок-схема:

    Расположение выводов:

    Корпуса:

    28-выв. PDIP
        28-выв. SOIC
        44-выв. PLCC без 12 выводов

    Типовая схема включения: (для правильного подключения ИМС см. назначение выводов). Данная схема отражает только электрические подключения. См. рекомендации по применению и памятки разработчику для корректной разводки печатных проводников.

    Предельно допустимые параметры:

    Предельно допустимые параметры – предельные установившиеся значения, превышение которых может привести к выходу из строя ИМС. Напряжения определены в абсолютных значениях по отношению к VS0. Тепловое сопротивление и рассеиваемая мощность измерены при монтаже на плате и отсутствии движения воздуха. Дополнительная информация показана на рис. 50-53.

    Обозначение Определение Мин. Макс. Единица измерения
    VB1,2,3 Напряжение питания высоковольтного драйвера -0.3 625 В
    VS1,2,3 Напряжение смещения высоковольтного драйвера VB1,2,3 - 25 VB1,2,3 + 0.3  
    VHO1,2,3 Выходное напряжение высоковольтного драйвера VS1,2,3 - 0.3 VB1,2,3 + 0.3  
    VCC Напряжение питание логики и низковольтных драйверов -0.3 25  
    VSS Общий логики VCC – 25 VCC + 0.3  
    VLO1,2,3 Выходное напряжение низковольтного драйвера -0.3 VCC + 0.3  
    VIN Напряжение логических входов (HIN1,2,3 , LIN1,2,3 и ITRIP) VSS - 0.3 меньшее из (VSS + 15) и (VCC + 0.3)  
    VFLT Напряжение выхода FAULT VSS - 0.3 VCC + 0.3  
    VCAO Выходное напряжение операционного усилителя VSS - 0.3 VCC + 0.3  
    VCA- Напряжение инвертирующего входа операционного усилителя VSS - 0.3 VCC + 0.3  
    dVS/dt Допустимая скорость изменения напряжения смещения - 50 В/нс
    PD Рассеиваемая корпусом мощность при Tа +25°C 28 выв. DIP - 1.5 Вт
    28 выв. SOIC - 1.6
    44 выв. PLCC - 2.0
    RthJA Тепловое сопротивление 28 выв. DIP - 83 °С/Вт
    28 выв. SOIC - 78
    44 выв. PLCC - 63
    TJ Температура перехода - 150 °С
    TS Температура хранения -55 150
    TL Температура выводов корпуса (10 секунд, пайка) - 300

    Рекомендуемые рабочие условия:

    Временная диаграмма логических входов/выходов показана на рис. 1. Для корректной работы устройство должно работать в пределах приведенных условий. Напряжения определены как абсолютные величины по отношению к VS0. Напряжение смещения VS определено со всеми источниками питания, смещенными на перепад 15В. Типичные оценки при других условиях смещения показаны на рис. 54.

    Обозначение Определение Мин. Макс. Единица измерения
    VB1,2,3 Напряжение питания высоковольтного драйвера -0.3 625 В
    VS1,2,3 Напряжение смещения высоковольтного драйвера VB1,2,3 - 25 VB1,2,3 + 0.3
    VHO1,2,3 Выходное напряжение высоковольтного драйвера VS1,2,3 - 0.3 VB1,2,3 + 0.3
    VCC Напряжение питание логики и -0.3 25
    VSS Общий логики VCC – 25 VCC + 0.3
    VLO1,2,3 Выходное напряжение низковольтного драйвера -0.3 VCC + 0.3
    VIN Напряжение логических входов (HIN1,2,3 , LIN1,2,3 и ITRIP) VSS - 0.3 меньшее из (VSS + 15) и (VCC + 0.3)
    VFLT Напряжение выхода FAULT VSS - 0.3 VCC + 0.3
    VCAO Выходное напряжение операционного усилителя VSS - 0.3 VCC + 0.3
    VCA- Напряжение инвертирующего входа операционного усилителя VSS - 0.3 VCC + 0.3
    TJ Температура перехода - 150 °С
    Прим. 1: Логическая работа VS от (VS0 – 5В) до (VS0 + 600В). Логическое состояние поддерживается для VS от (VS0 – 5В) до (VS0 - VBS). (См. памятку разработчика DT97-3 для более подробной информации). Прим 2: Все входные выводы, выводы CA- и CAO имеют внутренне подключенный ограничивающий стабилитрон на 5.2В.

    Динамические электрические характеристики:

    Условия определения: стандартные VBIAS (VCC, VBS1,2,3) = 15В, VS0,1,2,3 = VSS, CL = 1000 пФ и TA = 25°C или специфические, указанные в таблице. Динамические электрические характеристики проиллюстрированы на рис. 3-5.

    Обозн. Определение Рис. Мин. Тип. Макс. Ед. изм. Условия испытания
    ton Время включения 11 500 675 850 нс  
    toff Время выключения 12 300 425 550 VIN = 0 и 5В
    tr Длительность нарастающего фронта при включении 13 80 125 VS1,2,3 = 0 … 600В
    tf Длительность падающего фронта при выключении 14 35 55
    titrip Задержка на отключение по входу ITRIP 15 400 660 920 VIN, VITRIP = 0 и 5В
    tbl Время нереагирования по входу ITRIP 400 VITRIP = 1В
    Tflt Задержка распространения сигнала срабатывания по входу ITRIP к выходу индикации отказа FAULT 16 335 590 845 VIN, VITRIP = 0 и 5В
    tflt,in Время входной фильтрации (для шести входов) 310 VIN = 0 и 5В
    tfltclr Время сброса выхода FAULT по сигналам LIN1,2,3 17 6.0 9.0 12.0 мкс VIN, VITRIP = 0 и 5В
    DT Длительность паузы (IR2130)(IR2132) 18 18 1.3 0.4 2.5 0.8 3.7 1.2 VIN = 0 и 5В
    SR+ Скорость нарастания операционного усилителя (+) 19 4.4 6.2 В/мкс  
    SR- Скорость нарастания операционного усилителя (-) 20 2.4 3.2  
    Прим.: Для высоковольтной ШИМ длительность импульса HIN должна быть ? 1.5 мкс.

    Статические электрические характеристики:

    Общие условия измерения: VBIAS (VCC, VBS1,2,3) = 15В, VS0,1,2,3 = VSS и TA = 25°C, специфические условия приведены в таблице. Параметры VIN, VTH и IIN определены по отношению к VSS и распространяются на все 6 логических входов: HIN1,2,3 и LIN1,2,3. Параметры VO и IO определены по отношению к VS0,1,2,3 и распространяются на выходные выводы: HO1,2,3 и LO1,2,3.

    Обозн. Определение Рис. Мин. Тип. Макс. Е.И. Условия испытания
    VIH Входное напряжение лог. “0” (OUT = LO) 21 2.2 - - В  
    VIL Входное напряжение лог. “1” (OUT = HI) 22 - - 0.8  
    VIT,TH+ Порог срабатывания по входу ITRIP при увеличении входного напряжения 23 400 490 580 мВ VIN = 0В IO = 0A
    VOH Выходное напряжение высокого уровня, VBIAS – VO 24 - - 100 VIN = 5В, IO = 0А
    VOL Выходное напряжение низкого уровня, VO 25 - - 100
    ILK Ток утечки источника напряжения смещения 26 - - 50 мкА VB = VS = 600В
    IQBS Статический ток потребления от источника VBS 27 - 15 30 VIN = 0В или 5В
    IQCC Статический ток потребления по входу VCC 28 - 3.0 4.0 мА VIN = 0В или 5В
    IIN+ Входной ток смещения лог. “1” (OUT = HI) 29 - 450 650 мкА VIN = 0В VIN = 5В
    IIN- Входной ток смещения лог. “0” (OUT = LO) 30 - 225 400 ITRIP = 5В
    IITRIP+ Ток смещения по входу ITRIP при высоком входном уровне 31 - 75 150
    IITRIP- Ток смещения по входу ITRIP при низком входном уровне 32 - - 100 нА ITRIP = 0В
    VBSUV+ Порог детектора понижения напряжения VBS при восстановлении напряжения 33 7.5 8.35 9.2 В  
    VBSUV- Порог детектора понижения напряжения VBS при спаде напряжения 34 7.1 7.95 8.8  
    VCCUV+ Порог детектора понижения напряжения VCC при восстановлении напряжения 35 8.3 9.0 9.7
    VCCUV- Порог детектора понижения напряжения VCC при спаде напряжения 36 8.0 8.7 9.4
    Ron,FLT Сопротивление выхода FAULT в активном состоянии (низкий уровень) 37 - 55 75 Ом  
    IO+ Импульсный ток короткого замыкания высоковольтного драйвера 38 200 250 - мА VO = 0В, VIN = 0В PW ? 10 мкс
    IO- Импульсный ток короткого замыкания низковольтного драйвера 39 420 500 - VO = 15В, VIN = 5В PW ? 10 мкс
    VOS Входное напряжение смещения операционного усилителя 40 - - 30 мВ VS0 = VCA- = 0.2В
    ICA- Входной ток смещения CA- 41 - - 4.0 нА VCA- = 2.5В
    CMRR Коэффициент ослабления синфазного сигнала операционного усилителя 42 60 80 - дБ VS0=VCA-=0.1В и 5В
    PSRR Коэффициент ослабления влияния источника питания операционного усилителя 43 55 75 - VS0 = VCA- = 0.2В VCC = 10В и 20В
    VOH,AMP Выходное напряжение высокого уровня операционного усилителя 44 5.0 5.2 5.4 В VCA- = 0В, VS0 = 1В
    VOL,AMP Выходное напряжение низкого уровня операционного усилителя 45 - - 20 мВ VCA- = 1В, VS0 = 0В
    ISRC,AMP Выходной вытекающий ток операционного усилителя 46 2.3 4.0 - мА VCA- = 0В, VS0 = 1В VCAO = 4В
    ISRC,AMP Выходной втекающий ток операционного усилителя 47 1.0 2.1 - VCA- = 1В, VS0 = 0В VCAO = 2В
    IO+,AMP Выходной ток короткого замыкания операционного усилителя при высоком уровне напряжения на входе 48 - 4.5 6.5 VCA- = 0В, VS0 = 5В VCAO = 0В
    IO-,AMP Выходной ток короткого замыкания операционного усилителя при низком уровне напряжения на входе 49 - 3.2 5.2 VCA- = 5В, VS0 = 0В VCAO = 5В

    Назначение выводов
    Обозначение ИМС Корпус
    IR2130 / IR2132 28-выв. PDIP
    IR2130J / IR2132J 44-выв. PLCC без 12 выводов
    IR2130S / IR2132S 28-выв. SOIC

    Описание выводов:

    HIN1,2,3 Логические входы для задания в противофазе выходов драйверов верхнего уровня (HO1,2,3)
    LIN1,2,3 Логические входы для задания в противофазе выходов драйверов нижнего уровня (LO1,2,3)
    FAULT Индицирует о блокировки при перегрузке по току или снижении напряжения (нижний уровень)
    VCC Питание логики и драйвера нижнего уровня
    ITRIP Вход для выключения по токовой перегрузке
    CAO Выход усилителя токового сигнала
    CA- Инвертирующий вход усилителя токового сигнала
    VSS Общий
    VB1,2,3 Питание верхнего уровня
    HO1,2,3 Выходы драйверов верхнего уровня
    VS1,2,3 Возврат питания верхнего уровня
    LO1,2,3 Выходы драйверов нижнего уровня
    VS0 Возврат питания нижнего уровня и неинвертирующий усилителя токового сигнала

    Описание:

    IR2130/IR2132 – высоковольтный, высокоскоростной драйвер МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов с раздельными выходными каналами управления ключами верхнего и нижнего уровней. Собственная HVIC-технология позволяет укрепить монолитную конструкцию.

    Логические входы совместимы с 5В КМОП или LSTTL выходами. Связанный с общим проводом операционный усилитель обеспечивает обратную связь по току моста через внешний измерительный резистор. Функция прерывания тока, действующая на все 6 выходов также использует сигнал с этого резистора с последующим делением напряжения. Сигнал с открытым стоком FAULT индицирует о выключении из-за перегрузки по току или снижения напряжения.

    Выходные драйверы отличаются большим импульсным током буферного каскада, что сделано для минимизации поперечной проводимости драйверов. Времена распространения сигналов согласованы для упрощения использования при высоких частотах. Выходные каналы могут быть использованы для управления N-канальными МОП-транзисторами или IGBT-транзисторами, в т.ч. используемых как ключи верхнего уровня с рабочим напряжением до 600В.

    Документация:

      245 Kb Engl Описание микросхем IR2130
      247 Kb Engl Описание микросхемы IR2132