В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Модульные диоды Шоттки
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Модульные диоды Шоттки с напряжением 100 вольт

    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
    25C (mA)
    TJ
    123NQ100 D-67 HALF-Pak DISCRETE 100 120 121 0.91 15 1 3 175
    123NQ100R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 100 120 121 0.91 15 1 3 175
    153CMQ100 D-60 (изолированный) Общий катод 100 150 90 0.99 15 1 20 175
    153CNQ100 D-60 Общий катод 100 150 107 0.8 15 1 35 175
    163CMQ100 TO-249AA (изолированный) Общий катод 100 160 87 0.98 15 1 1.5 175
    163CNQ100 TO-249AA не изолированный Общий катод 100 160 112 0.96 15 1 35 175
    183NQ100 D-67 HALF-Pak DISCRETE 100 180 116 0.95 15 1 4.5 175
    183NQ100R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 100 180 116 0.95 15 1 4.5 175
    203CMQ100 TO-244AB изолированный Общий катод 100 200 100 0.84 15 1 70 175
    203CNQ100 TO-244AB не изолированный Общий катод 100 200 130 0.86 15 1 3 175
    203CNQ100R TO-244AB не изолированный общий анод 100 200 137 0.86 15 1 3 175
    203DMQ100 TO-244AB изолированный DOUBLER 100 200 100 0.72 15 1 0.7 175
    203DNQ100 TO-244AB не изолированный DOUBLER 100 200 120 0.72 15 1 0.7 175
    243NQ100 D-67 HALF-Pak DISCRETE 100 240 120 0.86 15 1 6 175
    243NQ100R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 100 240 120 0.86 15 1 6 175
    303CNQ100 TO-244AB не изолированный Общий катод 100 300 126 0.91 15 1 4.5 175
    403CMQ100 TO-244AB изолированный Общий катод 100 400 85 0.83 15 1 6 175
    403CNQ100 TO-244AB не изолированный Общий катод 100 400 105 0.83 15 1 6 175
    403DMQ100 TO-244AB изолированный DOUBLER 100 400 82 0.72 15 1.0 6 175
    Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение
    IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    Vfm (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения
    EAS (Non-Repetitive Avalanche Energy) - допустимый неповторяющийся выброс энергии
    IAR (Repetitive Avalanche Current) - повторяющийся лавинный ток
    IRM@VRWM 25C (Maximum Reverse Leakage Current @ Working Peak Reverse Voltage) - максимальный обратный ток утечки при заданном рабочем пиковом обратном напряжении и температуре перехода Tj=25 °С
    TJ (Junction Temperature) - температура p-n перехода