Повышенной надежности n-канальные SEE Hard Power MOSFETs на напряжение 100-200 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRH7250SE	TO-204AE	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	100	150
IRHE57133SE	18-pin LCC	DISCRETE	N	130	0.10	9	5.7	100	25
IRHF57133SE	TO-205AF	DISCRETE	N	130	0.1	10.5	6.5	100	25
IRHF57230SE	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.24	7.0	4.5	100	25
IRHM57260SE	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.044	35	35	100	250
IRHM7250SE	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.10	26	16	100	150
IRHN57250SE	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.060	31	19	100	150
IRHN7250SE	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	100	150
IRHNA57163SE	SMD-2	DISCRETE	N	130	0.0135	75	62	100	300
IRHNA57260SE	SMD-2	DISCRETE	N	200	0.038	55	35	100	300
IRHNJ57133SE	SMD-0.5	DISCRETE	N	130	0.08	20	12.5	100	75
IRHNJ57230SE	SMD-0.5	DISCRETE	N	200	0.22	12	7.8	100	75
IRHY57133CMSE	TO-257AA	DISCRETE	N	130	0.09	18	12	100	75
IRHY57230CMSE	TO-257AA	DISCRETE	N	200	0.23	12	7.8	100	75

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения