N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 600-1000 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Мощность рассеяния
IRFAC30	TO-204AA	DISCRETE	N	600	2.2	3.6	2.3	75
IRFAC40	TO-204AA	DISCRETE	N	600	1.2	6.2	3.9	125
IRFAE30	TO-204AA	DISCRETE	N	800	3.2	3.1	2	75
IRFAE40	TO-204AA	DISCRETE	N	800	2	4.8	3	125
IRFAE50	TO-204AA	DISCRETE	N	800	1.2	7.1	4.5	150
IRFAF30	TO-204AA	DISCRETE	N	900	4	2	1.7	75
IRFAF40	TO-204AA	DISCRETE	N	900	2.5	4.3	2.7	125
IRFAF50	TO-204AA	DISCRETE	N	900	1.6	6.2	4	150
IRFAG30	TO-204AA	DISCRETE	N	1000	5.6	2.3	1.5	75
IRFAG40	TO-204AA	DISCRETE	N	1000	3.5	3.9	2.5	125
IRFAG50	TO-204AA	DISCRETE	N	1000	2	5.6	3.5	150
IRFMG40	TO-254AA	DISCRETE	N	1000	3.5	3.9	2.5	125
IRFMG50	TO-254AA	DISCRETE	N	1000	2	5.6	3.5	150
IRFNG40	SMD-1	DISCRETE	N	1000	3.5	3.9	2.5	125
IRFNG50	SMD-1	DISCRETE	N	1000	2	5.5	3.5	150
OM11N60SA	TO-254AA	DISCRETE	N	600	0.5	11	7.2	200
OM6027SC	TO-258AA	DISCRETE	N	1000	1.3	10		165

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения