N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 60-75 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Мощность рассеяния
IRF034	TO-204AE	DISCRETE	N	60	0.05	25	16	75
IRF044	TO-204AE	DISCRETE	N	60	0.028	44	27	125
IRF054	TO-204AE	DISCRETE	N	60	0.022	45	31	150
IRF7MS2907	TO-254AA	DISCRETE	N	75	0.0055	45	45	208
IRF7NA2907	SMD-2	DISCRETE	N	75	0.0045	75	75	313
IRF7NJZ44V	SMD-0.5	DISCRETE	N	60	0.0165	22	22	50
IRF7YSZ44VCM	TO-257AA	DISCRETE	N	60	0.0195	20	20	50
IRFE024	18-pin LCC	DISCRETE	N	60	0.15	6.7	4.2	14
IRFF024	TO-205AF	DISCRETE	N	60	0.15	8	5.7	20
IRFI064	TO-259AA	DISCRETE	N	60	0.017	45	45	300
IRFM044	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.04	35	28	125
IRFM054	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.027	35	35	150
IRFM064	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.017	35	35	250
IRFN044	SMD-1	DISCRETE	N	60	0.04	44	27	125
IRFN054	SMD-1	DISCRETE	N	60	0.02	55	40	150
IRFV064	TO-258AA	DISCRETE	N	60	0.017	45	45	300
IRFY044CM	TO-257AA	DISCRETE	N	60	0.04	16	16	100

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения